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    碳化硅單晶材料

    • 碳化硅單晶片

      產品規格:4-6英寸

      產品類型:導電單晶片

      產品優勢:禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩定性好、電子飽和漂移速度高等優點。

      應用領域:主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。

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    • 碳化硅外延片

      產品規格:4-6英寸

      產品類型:同質外延片

      產品特點:禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、高熱導率、高電子飽和和遷移速度等。

      應用領域:主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。

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    碳化硅功率器件

    • 碳化硅肖特基二極管

      額定電壓:650-1200V   

      額定電流:2-60A

      產品特點:碳化硅肖特基二極管相比普通的PN結勢壘二極管具有導通壓降低,開關速度快、0反向恢復、耐高溫的優點。

      應用領域:碳化硅肖特基二極管可應用于光伏逆變器、高頻電源、高性能服務器電源、充電樁充電模塊等領域。

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    • 碳化硅場效應晶體管

      額定電壓:650-1200V   

      額定電流:30-100A

      產品特點:碳化硅場效應晶體管(SiC MOSFET)具有更低的導通電阻,更高的工作頻率,開關損耗大幅降低,SiC MOSFET與Si IGBT器件相比可降低開關損耗70%,高溫特性好、穩定性高。

      應用領域:SiC MOSFET可應用于開關電源、光伏逆變器、充電樁充電模塊、新能源汽車OBC、DC/DC等。

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    碳化硅功率模塊

    • 全碳化硅功率模塊

      額定電壓:650-1200V   

      額定電流:100-600A

      產品特點:全碳化硅功率模塊與傳統硅基IGBT相比,全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率,開關損耗可降低70%以上。

      應用領域:全碳化硅功率模塊可應用于軌道交通逆變牽引、新能源汽車電機控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網等。

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    • 混合碳化硅功率模塊

      額定電壓:1200V

      額定電流:300A、450A、600A

      產品特點:混合碳化硅功率模塊與傳統硅模塊相比,碳化硅混合模塊具有更高的功率密度、更低的開關損耗以及更快的工作頻率。

      應用領域:混合碳化硅功率模塊可應用于光伏發電、新能源汽車、軌道交通、不間斷電源、智能電網等。

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