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    碳化硅場效應晶體管

    SiC MOSFET具有更低的導通電阻,更高的工作頻率,開關損耗大幅降低,SiC MOSFET與Si IGBT器件相比可降低開關損耗70%,高溫特性好、穩定性高。
    型號 漏極電壓(VDS) 導通電阻(RDS(on)) 電流(ID) 封裝形式 規格書下載
    CGE1M120030 1200V 30mΩ 80A TO-247-3
    CGE1M120060 1200V 60mΩ 44A TO-247-3

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